EN 
أعلنت شركة سامسونج أنها بدأت إنتاج أول ذاكرة عشوائية من نوع LPDDR5 DRAM بسعة 16 جيجابايت للهواتف المحمولة، حيث تعتبر أول ذاكرة في العالم تستخدم الجيل الثالث تم تصميمها من فئة 10 نانومتر (1z) استنادًا إلى تقنية EUV.
وبحسب موقع Samsung Global Newsroom فإن Jung-bae Lee جانج بى لى، ، نائب الرئيس التنفيذي لمنتج وتكنولوجيا DRAM في شركة سامسونج قد قال : "ترفع ذاكرة LPDDR5 سعة 1z المستندة إلى مستوى 1z الصناعة إلى مستوى جديد ، وتتغلب على عقبة تطوير رئيسية في توسيع نطاق DRAM .
وقللت شركة سامسونج، سُمك الرقائق بنسبة 30 ٪. ، حيث تتطلب ذاكرة LPDDR5 DRAM الجديدة بسعة 16 جيجا بايت ثماني شرائح فقط للقيام بذلك بينما في السابق كانت هناك حاجة لثماني شرائح لصنع حزمة بحجم 12 جيجا بايت، الأمر الذى يعنى أنه على الرغم من أن الجيل الجديد من الذاكرة الديناميكية أكثر نحافة ، إلا أنه سيحتوي على سعة أكبر.
وتتفوق ذاكرة LPDDR5 DRAM الجديدة سعة 16 جيجابايت على ذاكرة LPDDR5 سعة 12 جيجابايت بنسبة 16٪ ب 6400 ميجابايت / ثانية مقابل 5500 ميجابايت / ثانية.
ووفقًا لشركة Samsung ، فإن رقائق LPDDR5 DRAM الجديدة بسعة 16 جيجا بايت والتي تعتمد على عملية 1z كانت المفتاح لحل مشكلات القياس التي واجهتها سابقًا مع الشرائح المستندة إلى 1y. ستحاول الشركة تعزيز وجودها في الهواتف الرائدة لعام 2021 من خلال عملية التصنيع الجديدة.
